最小哈密顿变形作为 Dirac 材料中有效非厄米性的bulk探针

非厄米（NH）Dirac半导体描述开放的增益-损耗系统。然而，在电荷中性处，具有实谱的模型往往看起来像厄米型，NH效应被吸收到重新参数化的带参数中。这里，我们表明，通过最小的伪Lorentz对称性破坏变形，可以形式化一种有效非厄米性诊断方法，这些变形将那些仍可被参数重新定义捕获的可观测量与那些 exhibit irreducible NH structure 的可观测量分开。对于弱NH、实谱 regime 下的二维NH Dirac半导体，我们分析Dirac锥倾斜和速度各向异性，并计算代表性的谱结构、量子几何、光学响应和 viscoelasticity 的探针。在零温下，我们发现倾斜导致NH依赖的密度状态导数斜率，无法折叠到单个有效速度中，而速度各向异性可被有效速度重新参数化捕获。此外，量子度量和无散射光学导电率提供NH不敏感的基准（以非线性导电率对称性为选择标准），而剪切粘度通过其张量结构提供判别器。我们的结果识别了最小变形和bulk响应通道，使即使在谱保持实的情况下也能访问有效非厄米性。