GaN超薄悬浮膜忆阻阵列
介观与纳米尺度物理
2016-06-29 v1
摘要
本文中，我们展示了厚度为15 nm、平面尺寸为12x184微米的超薄GaN膜可作为忆阻器件。这一事实归因于在制备过程中于膜体内形成的带负电深陷阱向悬浮膜未占据表面态的迁移。该迁移过程的时间常数约为数十秒，并随电流或电压扫描而变化。
引用
@article{arxiv.1604.02586,
title = {Memristive GaN ultrathin suspended membrane array},
author = {Mircea Dragoman and Ion Tiginyanu and Daniela Dragoman and Tudor Braniste and Vladimir Ciobanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02586},
year = {2016}
}
备注
Accepted for publication in Nanotechnology