中文

熔化瞬子、畴壁与大N

高能物理 - 格点 2010-01-21 v1

摘要

CPN1CP^{N-1} sigma模型的蒙特卡洛研究表明,这些模型中拓扑荷的结构在N=Nc4N=N_c\approx 4处经历了一次尖锐的转变。当N<NcN<N_c时,拓扑荷由小瞬子主导;而当N>NcN>N_c时,拓扑荷由扩展的、薄的、一维相干的拓扑荷膜主导,这些膜可被解释为离散准稳定真空之间的畴壁。这些真空相差一个单位的背景电通量。该转变可被识别为拓扑荷的离域化,或“瞬子熔化”,这一现象最早由Witten提出,以解决瞬子与大N行为之间的冲突。讨论了其对QCD的启示。

关键词

引用

@article{arxiv.0810.4131,
  title  = {Melting Instantons, Domain Walls, and Large N},
  author = {H. B. Thacker},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4131},
  year   = {2010}
}

备注

7 pages, 3 figures. Talk presented at Lattice 2008, Williamsburg, VA