介质/高场磁场导电率于混沌量子点
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们通过紧密耦合哈密顿量在平方格子上计算了混沌量子点在中等/高磁通量Phi下的磁场导电率G。通过在L×L簇的表面站点引入对角无序来模拟混沌量子点。结果表明，当比例W/L足够大时（其中W为导联宽度），G呈稳步上升趋势，并在通量Phi_max≈W处达到最大值。具有Bulk无序弹性腔体（其杂质数量与L成正比）则不显示此效应。另一方面，对于磁通量大于迈克尔半径约为L/2时，平均磁场导电率随通量几乎线性增加，斜率与W²成正比，随后达到最大值并呈阶梯式下降。这些结果与Beenakker和van Houten提出的解释两个点接触串联磁场导电率的理论高度吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005278,
title = {Medium/high field magnetoconductance in chaotic quantum dots},
author = {E. Louis and J. A. Verges},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005278},
year = {2009}
}
备注
RevTeX including six postscript figures