有帽与无帽自组装 Ge/Si 量子点中的机械应变
材料科学
2018-04-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本研究中，我们数值计算了生长在硅 基底上的自组装锗 量子点 的机械应变空间分布。尽管该主题已被广泛研究，但文献中尚未解释甚至尚未提及一些有趣的特征。我们考虑了有帽和无帽两种情况研究了帽层效应：有帽量子点（Ge 量子点上方存在 Si 帽层）和无帽量子点（Ge 量子点上方无 Si）。我们观察到，与无帽量子点相比，有帽量子点中的 Ge 应变更大。这一预期效应归因于 Si 帽层的额外张力。然而，Si 基底的情况则相反，在无帽量子点中其应变更大，因为此时 Ge 层的应变较小。我们还计算了电子和空穴的能带边对齐。
引用
@article{arxiv.1508.06719,
title = {Mechanical strain in capped and uncapped self-assembled Ge/Si quantum dots},
author = {P. F. Gomes and H. A. Fernandes and J. L. González-Arango},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.06719},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 8 figures