纳米尺度半导体环中低能激子态
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们考虑了一个有效质量模型,用于描述电子-空穴对在简化约束势中的行为,该模型适用于纳米自组装半导体InAs环以及量子点。计算了随环半径R_0变化的线性光学 susceptibility,其与near-infrared 传输的吸收强度成正比。与对应于极小环半径R_0的量子点性质进行比较,我们的计算结果与Pettersson等人最近的实验测量结果在质量上一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010186,
title = {Low energy exciton states in a nanoscopic semiconducting ring},
author = {Hui Hu and Guang-Ming Zhang and Jia-Lin Zhu and Jia-Jiong Xiong},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010186},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, revised and accepted by Phys. Rev. B