无边缘态的低耗散边缘电流
介观与纳米尺度物理
2019-06-12 v1
摘要
我们表明，在具有非零Berry曲率且拓扑平庸的多谷绝缘体中，体自由载流子会产生低耗散边缘电流，其被挤压在距边缘约为谷扩散长度的距离内。这发生在即使没有边缘态[拓扑的(无能隙)或其他]、且体平衡载流子浓度是跨带隙热激发的情况下。物理上，被挤压的边缘电流源于近边缘处谷密度积累发展出的空间非均匀轨道磁化。尽管该电流既无拓扑保护也无对称性保护，因此不免耗散，但在足够洁净的器件中它可以模拟低损耗弹道输运。
引用
@article{arxiv.1805.05955,
title = {Low-dissipation edge currents without edge states},
author = {Justin C. W. Song and Giovanni Vignale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05955},
year = {2019}
}