La1-xBi1+xS3 (x~0.08)：一种n型半导体
材料科学
2016-06-28 v1
摘要
新型铋硫族化合物La0.92Bi1.08S3结晶于单斜晶系空间群C2/m，晶胞参数为a = 28.0447(19) Å, b = 4.0722(2) Å, c = 14.7350(9) Å，且β = 118.493(5)°。La0.92Bi1.08S3的结构由NaCl型Bi2S5块体以及BiS4和LaS5无限长链构成，这些链形成一个具有平行隧道的紧凑三维框架。光谱学和电阻率测量揭示了其半导体行为，带隙约为1 eV，输运激活能为0.36(1) eV。热电势测量表明La0.92Bi1.08S3的多数载流子为电子。热容测量表明在2至300 K范围内无相变。基于密度泛函理论水平的能带结构计算证实了La0.92Bi1.08S3的半导体性质和间接带隙。
引用
@article{arxiv.1606.08002,
title = {La1-xBi1+xS3 (x~0.08): An n-Type Semiconductor},
author = {Fei Han and Huimei Liu and Christos D. Malliakas and Mihai Sturza and Duck Young Chung and Xiangang Wan and Mercouri G. Kanatzidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08002},
year = {2016}
}