研究 MoS2 晶体管中的激光诱导相工程
应用物理
2018-09-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
MoS2 晶体管的相工程近来已被演示并实现了创纪录的低接触电阻。通过光谱方法实现 MoS2 薄片的激光辐射相图案化也已实现，这带来了通过简单光暴露控制 MoS2 晶体管的金属性与半导体性相的潜力。然而，从金属多晶型出发的激光图案化 MoS2 器件的制备与演示尚未被实现。在此，我们研究激光辐射对 1T/1T'-MoS2 晶体管的影响，以期通过光暴露驱动向 2H-多晶型的原位相变。我们发现尽管 2H-MoS2 的拉曼峰在激光暴露后变得更显著，而来自 1T/1T' 相的峰衰减，但激光图案化器件的半导体性质并未完全恢复，且激光处理最终导致了输运沟道的退化。
引用
@article{arxiv.1809.10532,
title = {Investigating laser induced phase engineering in MoS2 transistors},
author = {Nikos Papadopoulos and Joshua O. Island and Herre S. J. van der Zant and Gary A. Steele},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10532},
year = {2018}
}