含随机场的 Ghatak-Sherrington 模型中的逆冻结现象
统计力学
2015-06-04 v1 强关联电子
摘要
本文研究了存在磁随机场（RF）时的 Ghatak-Sherrington（GS）模型。先前从无 RF 的 GS 模型得到的结果表明，无序和阻挫是产生自发逆冻结（IF）的关键要素。然而，在该模型中，无序和阻挫的效应总是耦合在一起。从这个意义上说，引入 RF 使我们能够研究在一种不构成阻挫源的无序影响下的 IF。该问题在一步副本对称性近似下求解。结果表明，与一定晶体场 范围内的 IF 相关的自旋玻璃相与顺磁相之间的一级相变，随着 RF 的增强而逐渐被抑制。
引用
@article{arxiv.1203.3828,
title = {Inverse freezing in the Ghatak-Sherrington model with a random field},
author = {C. V. Morais and M. J. Lazo and F. M. Zimmer and S. G. Magalhaes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3828},
year = {2015}
}
备注
accepted in the PRE, 6 pages, 8 figures