手性堆叠三层石墨烯中的本征及衬底诱导自旋轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2013-01-21 v2
摘要
我们提出了一种结合群论和紧束缚方法来计算 ABC 堆叠三层石墨烯中的本征自旋轨道耦合 (SOC)。我们发现，与单层石墨烯相比，需要考虑更大的一组 d 轨道（特别是 d_{z^2} 轨道）。我们还考虑了双层石墨烯中的本征 SOC，因为通过将我们的紧束缚双层结果与文献 [40] 中的密度泛函计算进行比较，使我们能够估算三层 SOC 参数的值。我们还讨论了衬底或吸附原子仅在双层或 ABC 三层石墨烯的一层中诱导强 SOC 的情况。对于本征和外部诱导的 SOC，我们都推导了描述低能自旋轨道物理的有效哈密顿量。我们发现，在布里渊区的 K 点，与单层石墨烯相比，双层和 ABC 三层石墨烯中 Bychkov-Rashba 型 SOC 的效应受到抑制。
引用
@article{arxiv.1210.7158,
title = {Intrinsic and substrate induced spin-orbit interaction in chirally stacked trilayer graphene},
author = {Andor Kormanyos and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7158},
year = {2013}
}
备注
few typos corrected, a new figure added