稀氟化石墨烯中增强的自旋轨道耦合
介观与纳米尺度物理
2015-12-03 v1
摘要
自旋态的保持与操控主要取决于自旋轨道相互作用的强度。对于原始石墨烯，本征自旋轨道耦合（SOC）仅几 ueV 量级，这使其几乎不可能用作未来电场控制自旋电子器件中的有源元件。这促使了系统性方法的发展，以外在地增强石墨烯的SOC。在本信中，我们研究了弱氟化石墨烯器件中的SOC强度。我们观察到即使在不施加任何外磁场的情况下也存在高非局域信号。信号幅度随氟吸附原子覆盖度增加而增加。从非局域输运测量的长度依赖性，我们得到了氟化度约0.005%和约0.06%的器件SOC值分别约为 5.1 meV 和 9.1 meV。如此大的增强，加上氟化样品的高电荷迁移率（u~4300 cm2/Vs - 2700 cm2/Vs），使得即使在室温下也能探测自旋霍尔效应。
引用
@article{arxiv.1512.00642,
title = {Enhanced spin-orbit coupling in dilute fluorinated graphene},
author = {Ahmet Avsar and Jong Hak Lee and Gavin Kok Wai Koon and Barbaros Ozyilmaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00642},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 3 figures, 1 table