超导铜插层 Bi$_2$Se$_3$ 中的内压
超导电性
2016-03-23 v1 强关联电子
摘要
利用角分辨光电子能谱研究超导电化学插层 CuBiSe 的能带结构。我们发现，在这些样品中 点的带隙远大于原始 BiSe 中的带隙。与能带结构计算结果比较表明，这一大带隙的起源是由 Cu 插层产生的无序所引起的内应力。我们提出，内压可能是 CuBiSe 中超导性所必需的。
引用
@article{arxiv.1601.06954,
title = {Internal pressure in superconducting Cu intercalated Bi$_2$Se$_3$},
author = {Amit Ribak and Khanan B. Chashka and Elias Lahoud and Muntaser Naamneh and Shahar Rinott and Yair Ein-Eli and Nicholas C. Plumb and Ming Shi and Emile Rienks and Amit Kanigel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.06954},
year = {2016}
}
备注
To be published in PRB