具有合成维度的相互作用拓扑绝缘体

实验技术的最新进展为我们提供了前所未有的机会来研究高维拓扑绝缘体，其中一些维度是“合成的”，即沿这些合成维度的有效晶格动量是可以控制的周期性调节参数。在这项工作中，我们研究了相互作用对具有合成维度的拓扑绝缘体的影响。我们表明，尽管高维拓扑绝缘体的自由费米子能带结构可以用“合成技术”精确模拟，但这些有效合成拓扑绝缘体中的一般相互作用在性质上不同于普通凝聚态系统中的局域相互作用。并且我们表明，这些特殊但一般的相互作用对拓扑绝缘体具有意想不到的影响，即它们会以不同于先前广泛研究的局域相互作用的方式改变（或降低）拓扑绝缘体的分类。