原位小角度横截：由自对准效应引起的斜面斜率平坦化

利用配备的深度剖析离子溅射枪，在俄歇微探针内部制备小角度横截面。简单地，样品部分被掩模覆盖。利用该掩模的边缘，样品被离子溅射。由于掩模的遮挡，在样品中产生了横截面。该横截面的斜率比几何设置给出的斜率要浅得多。这归因于自对准效应，其源于在溅射与遮挡样品区域之间的过渡区中缺失溅射级联，以及掩模边缘的倒角。此处利用热生长在 Si 衬底上的 104.6 nm 厚 SiO2 层研究了这些自对准效应。在本研究中，一方面，对于固定的 15.8{\deg} 离子入射角，作为溅射时间的函数制备了若干原位小角度横截面。以此方式实现了介于终极低斜率角 0.014{\deg} 与 0.085{\deg} 之间的斜率角。另一方面，对于固定的溅射时间，离子入射角在 14.8{\deg}和 70.8{\deg} 之间变化。对于这些样品，观察到横截面斜率角介于 0.031{\deg}和 0.32{\deg}之间。这些结果展示了原位横截明显的斜率平坦化。