通过静电力显微镜成像应变 MoS2 单层的量子电容
介观与纳米尺度物理
2024-01-15 v2 材料科学
摘要
我们实现了射频辅助静电力显微镜（RF-EFM）来研究双轴应变二硫化钼（MoS2）单层（MLs）的电场响应，该单层以介观气泡形式存在，由块体晶体经氢（H）离子辐照产生。MoS2 单层是一种半导体性过渡金属硫族化物，因其优良的光电特性及可由应变进一步调控而近期备受关注。在此，我们利用射频激励将应变单层的内在量子电容与原子尺度缺陷（推测为硫空位或 H 钝化硫空位）引起的电容区分开。事实上，在频率 fRF 大于缺陷俘获时间倒数时，缺陷对总电容和输运的贡献可忽略。使用 fRF = 300 MHz 的 RF-EFM，我们同时可视化了气泡形貌及其量子电容。我们的有限频率电容成像技术是非侵入且纳米尺度的，可有助于研究时间和空间依赖现象，如量子材料中难以用其他方法测量的电子压缩率。
引用
@article{arxiv.2302.14584,
title = {Imaging the Quantum Capacitance of Strained MoS2 Monolayers by Electrostatic Force Microscopy},
author = {Cinzia Di Giorgio and Elena Blundo and Julien Basset and Giorgio Pettinari and Marco Felici and Charis H. L. Quay and Stanislas Rohart and Antonio Polimeni and Fabrizio Bobba and Marco Aprili},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.14584},
year = {2024}
}