功能化 MoS$_2$ 单层的量子电容理论探究
材料科学
2020-11-25 v2
摘要
本工作中，我们研究了功能化 MoS 单层的电子结构与量子电容。功能化是通过在 Mo 单层上吸附不同吸附原子实现的。我们采用密度泛函理论计算，以获得具有不同掺杂浓度的吸附原子掺杂 MoS 单层的精确电子结构。随后估算了体系的量子电容。观察到显著的量子电容高于 200 F/cm。我们的计算表明，用过渡金属吸附原子替代掺杂 Mo 可显著增强 MoS 单层的量子电容。我们分析了该体系量子电容增强的微观起源。基于 DFT 的计算表明，吸附原子吸附在能带边缘附近产生新的电子态以及费米能级移动，导致体系具有非常高的量子电容。
引用
@article{arxiv.2011.11539,
title = {Theoretical investigation of quantum capacitance in the functionalized MoS$_2$-monolayer},
author = {Sruthi T and Nayana Devaraj and Kartick Tarafder},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.11539},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 12 figures and 4 tables