单层MoS$_2$蜂窝状结构的功能化
材料科学
2011-05-26 v2
摘要
基于第一性原理平面波计算，我们通过吸附原子吸附和空位缺陷产生研究了二维单层MoS结构的功能化。确定了十六种不同吸附原子的最小能量吸附位，每种吸附原子都赋予材料不同的性质。原本为非磁性、直接带隙半导体的裸单层MoS，在吸附特定过渡金属原子以及硅和锗原子后获得了净磁矩。带隙中的局域施主和受主态扩展了MoS在纳米电子学和自旋电子学中的应用。特定的吸附原子，如C和O，在吸附到单层MoS上时获得了显著的过剩电荷，这可能对其摩擦学应用有用。在单层MoS中产生的每个MoS三重空位都会产生净磁矩，而与Mo和S原子相关的其他空位缺陷则不影响非磁性基态。当前结果也与石墨型MoS的表面相关。
引用
@article{arxiv.1009.5527,
title = {Functionalization of Single Layer MoS$_2$ Honeycomb Structures},
author = {C. Ataca and S. Ciraci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.5527},
year = {2011}
}
备注
26 pages, 5 Figure, first submitted at November 23th, 2009