红外光谱研究 CeCoIn$_5$ 中 Cd 和 Sn 掺杂下杂化能隙与 $f$ 电子效应的演化
强关联电子
2025-09-25 v1
摘要
我们利用红外光谱研究了空穴 (Cd) 和电子 (Sn) 掺杂的 CeCoIn (CeCo(In) ( = Cd 或 Sn))。基于周期安德森模型形式，从光电导谱中获得了掺杂依赖的杂化能隙分布函数。杂化能隙分布表现出两个分量：面内和面外杂化能隙。两个能隙的掺杂依赖演化表明，面外能隙对掺杂更为敏感。此外，磁光电阻率表现出 电子振幅的掺杂依赖演化。两种掺杂剂类型根据掺杂水平表现出不同的物理性质。Sn 掺杂剂增加了 电子振幅，而 Cd 掺杂剂不影响 电子振幅。掺杂依赖的有效质量在纯（或未掺杂）CeCoIn 处达到峰值。我们的光谱结果可能有助于理解典型重费米子体系 CeCoIn 的掺杂依赖电子演化。
引用
@article{arxiv.2509.19684,
title = {Hybridization gap and $f$-electron effect evolutions with Cd- and Sn-doping in CeCoIn$_5$ via infrared spectroscopy},
author = {Myounghoon Lee and Yu-Seong Seo and Seulki Roh and Seokbae Lee and Jihyun Kim and Tuson Park and Jungseek Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.19684},
year = {2025}
}
备注
19 pages, 8 figures