硅双栅无结晶体管的空穴迁移率模型
应用物理
2018-01-22 v1 材料科学
摘要
本工作中，建立了一个基于物理的模型来计算超薄体双栅无结晶体管的空穴迁移率。自洽地求解了六带 Schrödinger 方程和 Poisson 方程。所获得的波函数和能量被存储在查找表中。可利用 Kubo-Greenwood 公式推导空穴迁移率，该公式考虑了杂质、声学声子与光学声子以及表面粗糙度散射。给出了初步的基准测试结果。
引用
@article{arxiv.1801.06526,
title = {Hole Mobility Model for Si Double-Gate Junctionless Transistors},
author = {Fan Chen and Kangliang Wei and Wei E. I. Sha and Jun Z. Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06526},
year = {2018}
}