轻掺杂La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}薄膜中与历史相关的磁电阻
强关联电子
2015-06-03 v1
摘要
我们测量了通过分子束外延生长的原子级平滑La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}薄膜在高达9 T的磁场B和宽温度T范围内的面内磁电阻(MR)。x=0.03和x=0.05的薄膜是绝缘的，正磁电阻在T<4 K时出现。对于所有B的方向，正磁电阻都表现出玻璃态特征，包括历史依赖性和记忆效应。结果表明，这种反映掺杂空穴动力学中玻璃态行为开始的现象，是绝缘态的一个稳健特征。
引用
@article{arxiv.1201.0042,
title = {History dependent magnetoresistance in lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} thin films},
author = {Xiaoyan Shi and Dragana Popović and C. Panagopoulos and G. Logvenov and A. T. Bollinger and I. Božović},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.0042},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, International School and Workshop on Electronic Crystals (ECRYS-2011); to appear in Physica B