轻掺杂 La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} 电荷响应中的记忆效应
强关联电子
2012-10-31 v1
摘要
我们使用几种实验方案研究了单晶 La_{1.97}Sr_{0.03}CuO_{4} 在低温 T 下的面内磁阻 (MR)。在远低于自旋玻璃转变温度的温度下，MR 变为正值，并表现出多种玻璃态特征，例如历史依赖性、记忆和磁滞。这些观察结果在性质上与先前报道的面外电阻行为相似。结果表明，MR 中的记忆效应与掺杂空穴动力学中玻璃态行为的出现有关。
引用
@article{arxiv.1201.0033,
title = {Memory Effects in the Charge Response of Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}},
author = {I. Raičević and Dragana Popović and C. Panagopoulos and T. Sasagawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.0033},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures, conference on Quantum Phenomena in Complex Matter 2011 -- STRIPES 11; to appear in J. Supercond. Nov. Magn