La2-xSrxCuO4薄膜中的电导各向异性与线性磁电阻
强关联电子
2011-06-01 v1
摘要
我们详细研究了La2-xSrxCuO4（LSCO）薄膜（0.10 < x < 0.25）的电导各向异性和磁电阻（MR）。这两个可观测量对于探测条纹相很有前景。通过在零磁场下测量横向电阻Rxy，揭示了电导各向异性的细微特征。结果表明，Rxy的符号取决于LSCO霍尔条相对于衬底台阶结构的取向。因此，单胞高度的衬底台阶边缘必定是薄膜生长过程中反相边界的主要成核源。我们证明，Rxy的测量足够灵敏，可以探测到SrTiO3(100)（STO）衬底在105 K时的立方-四方相变。LSCO薄膜的MR在0.10 < x < 0.25范围内表现出非单调的温度依赖性，这源于90 K以上MR中线性项的出现。我们证明，线性MR与绝对霍尔电阻率成比例，且比例常数与温度无关。这种标度关系表明，线性MR源于结构或电子不均匀性引起的电流畸变。全文讨论了条纹相对MR和电导各向异性可能起的作用。
引用
@article{arxiv.1105.6090,
title = {Conductance anisotropy and linear magnetoresistance in La2-xSrxCuO4 thin films},
author = {M. van Zalk and A. Brinkman and H. Hilgenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.6090},
year = {2011}
}