从角磁电阻测量中得到的 La$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ 反铁磁序的证据

我们研究了通过脉冲激光沉积技术制备的 $T^{\prime}$ 相 La$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ (LCCO) 薄膜 ($x=0.06-0.15$) 的面内角磁电阻 (AMR)。在 $\mathbf{H}\parallel ab$ 条件下，面内 AMR 表现出二重对称性，而非在其他电子掺杂铜氧化物（如 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ 和 Nd$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$）中发现的四重行为。该二重 AMR 在高于某一温度 $T_{D}$ 时消失。对于 $x=0.06$，$T_{D}(x)$ 远高于 $T_{c}(x)$（约 110 K），并随掺杂增加而降低，直至在 $x=0.15$ 时不再在 $T_{c}(x)$ 以上观察到。我们认为，$T_{D}(x)$ 以下的这种二重 AMR 源于反铁磁或自旋密度波序。