非扩散反应制备的高居里温度 Mn₅Ge₃ 薄膜
介观与纳米尺度物理
2017-02-23 v1 强关联电子
摘要
采用磁控溅射和反应扩散（RD）或非扩散反应（NDR）在 SiO₂ 上制备了多晶 Mn₅Ge₃ 薄膜。利用原位 X 射线衍射和原子力显微镜确定层结构，并利用磁力显微镜、超导量子干涉器件和铁磁共振确定其磁性质。RD 介导的层表现出与 MBE 生长的单晶 Mn₅Ge₃ 薄膜相似的磁性质，而 NDR 介导的层则显示出与单晶 C 掺杂 Mn₅Ge₃C_x 薄膜（）相似的磁性质。NDR 似乎是一种与 CMOS 兼容的有效方法，可用于制备具有良好磁性质的高居里温度 Mn₅Ge₃ 薄膜。
引用
@article{arxiv.1702.06864,
title = {High Curie temperature Mn 5 Ge 3 thin films produced by non-diffusive reaction},
author = {E. Assaf and A. Portavoce and K. Hoummada and M. Bertoglio and S. Bertaina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.06864},
year = {2017}
}