锶掺杂锰氧化物薄膜磁光与输运性质之间的关联
强关联电子
2018-12-24 v1
摘要
利用 1.1-4.2 eV 范围内的磁圆二色性 (MCD) 研究了不同厚度的 La0.7Sr0.3MnO3、Pr0.8Sr0.2MnO3 和 Pr0.6Sr0.4MnO3 多晶薄膜的电子结构特征。还研究了样品电阻的温度行为。发现高 Sr 含量 (0.3 和 0.4) 的薄膜表现为高温半导体，而这些薄膜电阻率温度依赖关系中的极大值表明样品在某个温度 TM-S 下转变为金属态，该温度随样品厚度不同而不同。较低 Sr 含量 (0.2) 的薄膜在所研究温度范围内表现为绝缘体。将 MCD 谱分解为高斯线形，并分析了各谱线强度随温度的变化，与薄膜磁化强度的温度依赖关系及其导电类型进行比较。对于半导体薄膜，揭示了四条指定高斯线的强度具有不同的温度行为。对于绝缘的 Pr0.8Sr0.2MnO3 样品，三条指定高斯线的强度随温度的变化方式与磁化强度相同。确定镧系元素 (La, Pr) 类型不影响相同导电类型薄膜的 MCD 谱形状。此外，揭示了薄膜 MCD 数据与其导电类型之间的关联。通过对指定高斯线的详细分析，并考虑文献中已知但位于所研究光谱区域之外的吸收带，将这些锰氧化物薄膜的 MCD 带归属于不同性质的电子跃迁。
引用
@article{arxiv.1812.09075,
title = {Correlation between magneto-optical and transport properties of Sr doped manganite films},
author = {Yu. E. Samoshkina and I. S. Edelman and M. V. Rautskii and M. S. Molokeev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.09075},
year = {2018}
}
备注
5 figures, 6 tables