多带k$p模型中包络函数通用边界条件
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们推导了半导体异质结构突变异质界面上多带包络函数的通用边界条件(BC)，这些边界条件不包含伪解。这些BC要求保证界面法向处概率流密度守恒，并确保多带哈密顿量为自伴算符。BC与能量无关，是界面特征性质。我们使用耦合两带模型计算了通用BC对势阱中电子能级（具有无限势垒）的影响。我们讨论了其他确定包络函数边界条件的方法与多带k$p模型中伪解问题的关联。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112359,
title = {General boundary conditions for the envelope function in multiband k.p model},
author = {A. V. Rodina and A. Yu. Alekseev and Al. L. Efros and M. Rosen and B. K. Meyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112359},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 2 figures; to be published in Phys. Rev. B 65, March 15 issue 2002