Ga 诱导的原子线形成与 stepped Si(112) 表面修饰
其他凝聚态物理
2007-05-23 v2 材料科学
摘要
我们基于扫描隧道显微镜和光谱（STM 和 STS）、核后背scatter 仪（RBS）和密度泛函理论（DFT）计算，对 Ga 掺杂后 Si(112) 表面准一维（1D）表面重构的原子结构和电子结构进行深入分析。推断出 Si(112)6×1-Ga 表面的新结构模型。其构成由交叉的准周期性空位线或错位位错交织而成的 Ga 锯形链。实验观察到的空位线曲折变形源于 6×1 与 5×1 单元胞的共存以及 Si-Ga 双原子在空位线内对称性破缺的取向无序。Ga 原子完全配位，表面化学被修饰。STS 数据显示表面为半导体，与计算得到的局部密度态（LDOS）和 STS 曲线高度吻合。完全修饰表面所获得的能量收益质疑了以步边装饰为目标构建 1D 金属结构的生长方法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505343,
title = {Ga-induced atom wire formation and passivation of stepped Si(112)},
author = {P. C. Snijders and C. Gonzalez and S. Rogge and R. Perez and J. Ortega and F. Flores and H. H. Weitering},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505343},
year = {2007}
}
备注
Submitted, 13 pages, accepted in Phys. Rev. B, notational change in Fig.8