关于“化合物半导体表面准一维金属-绝缘体转变”的评论
介观与纳米尺度物理
2017-08-02 v2
摘要
在最近一篇 Letter 中，Zhao 等人[1]报道了化合物半导体表面准一维金属-绝缘体（MI）转变的起源。基于广义梯度近似（GGA）下的密度泛函理论（DFT）计算，他们声称通过 H 或 Li 原子与 GaN(10-10) 和 ZnO(10-10) 的选择性成键形成的单原子宽金属结构经历 Peierls 型 MI 转变，导致具有周期性晶格畸变的电荷密度波（CDW）形成。然而，我们在此证明此种 CDW 相源于 GGA 的假象，而杂化 DFT 计算以及随机相近似下的精确交换加关联（EX + cRPA）预言了反铁磁（AFM）基态。[1] J. Z. Zhao, W. Fan, M. J. Verstraete, Z. Zanolli, J. Fan, X. B. Yang, H. Xu, and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 117, 116101 (2016).
引用
@article{arxiv.1611.08406,
title = {Comment on "Quasi-One-Dimensional Metal-Insulator Transitions in Compound Semiconductor Surfaces"},
author = {Sun-Woo Kim and Yoon-Gu Kang and Hyun-Jung Kim and Jun-Hyung Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08406},
year = {2017}
}