场致电荷密度波相图的普适性：理论与实验对比

A. G. Lebed

doi:10.1016/j.physb.2009.11.083

场致电荷密度波相图的普适性：理论与实验对比

强关联电子 2015-05-13 v1

作者: A. G. Lebed

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摘要

我们提出了一个关于场致电荷密度波（FICDW）相的理论，该相由准低维导体中的高磁场产生。我们证明，在层状准一维导体中，相应的临界磁场比值是普适的，不依赖于任何拟合参数。特别地，我们发现 $H_1/H_0 = 0.73, \ H_2/H_0 = 0.59, H_3/H_0 = 0.49, H_4/H_0 = 0.42$ ，其中 $H_n$ 是编号为 $n$ 和 $n+1$ 的FICDW相之间相变的临界场。该理论与 $\alpha$ -(ET) $_2$ KHg(SCN) $_4$ 材料中现有的实验数据在定性和定量上均符合得很好。

关键词

场致电荷密度波普适相图准一维导体临界磁场比值高磁场

引用

@article{arxiv.0904.2591,
  title  = {Universal Field-Induced Charge-Density-Wave Phase Diagram: Theory versus Experiment},
  author = {A. G. Lebed},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2591},
  year   = {2015}
}

备注

9 pages, 2 figures

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