准一维二聚化四分之一填充有机导体中的自旋密度波相变

我们研究了通过链间单粒子跃迁$t_{b0}$弱耦合的二聚化四分之一填充Hubbard链中的自旋密度波（SDW）相变。结果表明，在SDW转变温度以上的金属相中，存在$t_{b0}$的临界值$t_{b}^\ast$，介于非相干金属区（$t_{b0}<t_{b}^\ast$）与费米液体区（$t_{b0}>t_{b}^\ast$）之间。利用双圈微扰重正化群方法结合随机相位近似，我们提出了覆盖两个区的SDW相图。对于$t_{b0}<t_{b}^\ast$从非相干金属相发生的SDW相变，是由链内电子-电子umklapp散射随低温增长引起的，这被视为莫特隙的预形成。我们讨论了本结果之于准一维二聚化四分之一填充有机导体(TMTTF)$_2$X和(TMTSF)$_2$X中SDW相变的关联性。