中断链辅助的硅(211)表面铝原子线
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
使用基于密度泛函理论的总能计算方法，研究了在Si(211)表面形成稳定铝原子线的可能性。给出了稳定吸附位置以及在不同亚单层覆盖率下的表面结构。结果发现，最稳定且自然的表面结构在约1单层覆盖率处为1×5或1×6，这与实验观察相符。更重要的是，我们的研究表明，与铟的情况不同，通过控制实验条件（压力和温度），使得μ_Al保持在bulk值附近±0.3 eV内，铝原子链的形成可能通过中断的铝链辅助实现。虽然覆盖的Si(211)表面可能为金属或半导体，但铟覆盖的Si(211)表面在1 ML以下始终为半导体。另一个重要发现是，随着覆盖率从1/8单层增加到1/4单层，铝原子通过能量更低的通道从沟槽位点移动到缝隙与台地原子之间的位点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509162,
title = {Interrupted chain assisted Al atomic wires on Si(211)},
author = {Bikash C Gupta and Inder P Batra},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509162},
year = {2007}
}
备注
9 apges, 11 figures