p-SiGe异质结构中量子霍尔-绝缘体相的“禁止”转变
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们表明，在稀疏金属p-SiGe异质结构中，磁场可导致多个量子霍尔-绝缘体-量子霍尔转变。观察到的绝缘态位于填因子ν=1和ν=2之间的量子霍尔态之间，首次在ν=2和ν=3之间以及ν=4和ν=6之间也观察到绝缘态。后者与原始的量子霍尔效应全局相位图相矛盾。我们建议，垂直磁场的作用方式与Si MOSFETs中的作用方式相同，导致金属p-SiGe异质结构表现出绝缘体行为。这种绝缘体与整数量子霍尔态竞争并被中断，导致多次驰回转变。能够解释这些转变的相位图与此前在Si MOSFETs中获得的相位图相似，从而确认了其普适性。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107171,
title = {"Forbidden" transitions between quantum Hall and insulating phases in p-SiGe heterostructures},
author = {M. R. Sakr and Maryam Rahimi and S. V. Kravchenko and P. T. Coleridge and R. L. Williams and J. Lapointe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107171},
year = {2007}
}