p型德国氦整数量子霍尔效应的相图
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
我们实验研究了整数量化霍尔效应的相图，随着密度和磁场的变化。我们使用一种在Ge/SiGe量子阱中约束的二维空穴体系，其中所有能级都被解析，因为Zeeman分裂与循环能相等。在低场且接近量子霍尔液体-绝缘体相变时，我们观察到最低能级的浮升，但没有任何更高能级的浮升，相反是这些能级合并进入绝缘态。对于给定的填充因子，仅观察到从绝缘相到更高量子霍尔液体之间的直接相变。最后，我们观察到填充因子为1处的临界电阻率峰。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906212,
title = {Phase diagram of the integer quantum Hall effect in p-type Germanium},
author = {M. Hilke and D. Shahar and S. H. Song and D. C. Tsui and Y. H. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906212},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, some changes in the text