基于单极性电流的无场确定性写入 SOT-MTJ
介观与纳米尺度物理
2021-11-30 v2 材料科学
摘要
我们提出了一种可制造的解决方案，用于在 200 mm 晶圆上实现垂直 SOT-MTJ 的无场写入，且不牺牲集成密度。通过调控 SOT-MTJ 薄膜中的层间交换耦合，可利用单极性电流脉冲实现无场写入操作。所提出的器件可达到高达 1 ns 的高写入速度，并能在 100 C 温度下正常工作。基于单极性电流的 SOT-MTJ 确定性写入为高密 SOT-MRAM 集成提供了有效途径。
引用
@article{arxiv.2111.11833,
title = {Field-Free Deterministic Writing of SOT-MTJ by Unipolar Current},
author = {Tengzhi Yang and Meiyin Yang and Lei Zhao and Jianfeng Gao and Qingyi Xiang and Wenjing Li and Feilong Luo and Li Ye and Jun Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.11833},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 3 figures