面向低功耗超快嵌入式存储器的300mm SOT-MRAM集成
介观与纳米尺度物理
2019-01-29 v1 新兴技术
应用物理
摘要
我们首次展示了采用CMOS兼容工艺在300 mm晶圆上实现顶钉扎垂直MTJ的全规模集成，用于自旋轨道矩（SOT）-MRAM架构。我们表明，具有W基SOT底层、尺寸为62 nm的器件具有非常大的 endurance（> 5x10^10）、210 ps的亚纳秒开关时间，并以低至300 pJ的功耗运行。
引用
@article{arxiv.1810.10356,
title = {SOT-MRAM 300mm integration for low power and ultrafast embedded memories},
author = {K. Garello and F. Yasin and S. Couet and L. Souriau and J. Swerts and S. Rao and S. Van Beek and W. Kim and E. Liu and S. Kundu and D. Tsvetanova and N. Jossart and K. Croes and E. Grimaldi and M. Baumgartner and D. Crotti and A. Furnémont and P. Gambardella and G. S. Kar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.10356},
year = {2019}
}
备注
presented at VLSI2018 session C8-2