用于无场切换SOT-MRAM的可制造300mm平台方案
应用物理
2019-09-02 v2
摘要
我们提出了一种易于集成且允许对磁场分量和SOT/MTJ堆栈特性分别优化的无场切换SOT-MRAM概念。我们在300 mm晶圆上使用CMOS兼容工艺予以演示，并表明器件性能与我们的标准SOT-MTJ单元相似：在整个300mm晶圆上实现可靠的亚纳秒切换与低写入功耗。我们的概念/设计为MRAM（SOT、STT和VCMA）技术开发开辟了新领域。
引用
@article{arxiv.1907.08012,
title = {Manufacturable 300mm platform solution for Field-Free Switching SOT-MRAM},
author = {K. Garello and F. Yasin and H. Hody and S. Couet and L. Souriau and S. H. Sharifi and J. Swerts and R. Carpenter and S. Rao and W. Kim and J. Wu and K. K. V. Sethu and M. Pak and N. Jossart and D. Crotti and A. Furnémont and G. S. Kar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.08012},
year = {2019}
}
备注
Presented at VLSI 2019 Circuit and Technology Symposium, JFS4p5