LCLS-II 腔体中通过原位等离子处理缓解场发射的研究
加速器物理
2022-01-25 v2 应用物理
摘要
场发射是限制超导射频腔性能的因素之一。为减少 LCLS-II（直线加速器相干光源 II）中可能的场发射，我们正在开发用于 1.3 GHz 9 腔体的等离子处理。等离子处理可在低温模块中原位应用，以缓解与腔表面存在的碳氢化合物污染相关的场发射。本文中，对洁净与污染的单体腔和 9 腔体均施加了等离子清洗；在等离子处理前后对腔体进行冷测以比较其性能。已证明等离子清洗不会对氮掺杂表面处理产生负面影响；相反，它保持了高品质因子与失超场。等离子处理也应用于具有自然场发射或人工污染的腔体。发现该技术成功去除了腔孔处的碳基污染，并能够去除自然场发射腔中的场发射。在四个腔体上模拟了真空失效实验，在某些情况下等离子处理能够实现性能提升。
引用
@article{arxiv.2009.05081,
title = {Field emission mitigation studies in LCLS-II cavities via in situ plasma processing},
author = {Bianca Giaccone and Martina Martinello and Paolo Berrutti and Oleksandr Melnychuk and Dmitri A. Sergatskov and Anna Grassellino and Dan Gonnella and Marc Ross and Marc Doleans and John F. Zasadzinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.05081},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 10 figures