微秒级紫外激光退火铜薄膜的失效模式分析
应用物理
2022-04-26 v1
摘要
对表面局域化热处理的需求正急剧增长，尤其针对三维(3D)集成电子器件。紫外激光退火(UV-LA)技术很好地应对了这一挑战。特别是，UV-LA可通过在极短时间尺度内仅辐照互连线或薄膜来增大金属晶粒从而降低电阻率。然而，电学性能失效的风险必须被正确管控，而UV-LA的失效风险尚未被深入研究。本工作中，微秒级UV-LA被应用于一种可与互连结构(介质/Cu/Ta/SiO2/Si)相比的叠层，在熔融或亚熔融 regime 下进行晶粒长大。研究了诸如(i) Cu向SiO2中扩散、(ii) O掺入Cu、以及(iii) Cu与Ta间相互混合等失效模式。
引用
@article{arxiv.2204.11196,
title = {Failure Mode Analysis in Microsecond UV Laser Annealing of Cu Thin Films},
author = {Remi Demoulin and Richard Daubriac and Louis Thuries and Emmanuel Scheid and Fabien Rozé and Fuccio Cristiano and Toshiyuki Tabata and Fulvio Mazzamuto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.11196},
year = {2022}
}
备注
Accepted Paper for the IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) 2022