面向未来 3D 堆叠 CMOS 的微秒级非熔化紫外激光退火
应用物理
2022-05-11 v1
摘要
三维(3D)CMOS 技术推动了紫外激光退火(UV-LA)的应用,因为紫外光在材料中的浅吸收以及通常从纳秒(ns)到微秒(us)的工艺时间尺度强烈限制了垂直热扩散。本工作中,us UV-LA 固相外延再生长(SPER)在砷离子注入的绝缘体上硅衬底中实现了超过 1 x 10^21 at./cm^-3 的有源载流子浓度。在随后已知用于改善 CMOS 互连的 ns UV-LA 之后,仅观察到轻微的(约 5\%)薄层电阻增加。该结果为在 3D 堆叠 CMOS 的不同阶段集成 UV-LA 开辟了可能性。
关键词
引用
@article{arxiv.2205.04669,
title = {Microsecond non-melt UV laser annealing for future 3D-stacked CMOS},
author = {Toshiyuki Tabata and Fabien Rozé and Louis Thuries and Sebastien Halty and Pierre-Edouard Raynal and Karim Huet and Fulvio Mazzamuto and Abhijeet Joshi and Bulent M. Basol and Pablo Acosta Alba and Sébastien Kerdilès},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.04669},
year = {2022}
}
备注
Accepted manuscript for Applied Physics Express (IOP science)