通过 UV 激光退火实现砷离子注入绝缘体上硅的固相再结晶与掺杂激活
应用物理
2021-11-16 v1
摘要
UV 激光退火（UV-LA）可实现表面局域高温热处理，在热预算受限的新兴单片堆叠器件中形成陡峭结。本工作中，采用 UV-LA 对砷离子注入部分非晶化的 SOI 层进行再生长并激活掺杂剂。在微秒量级（~10^-6 s 至 ~10^-5 s）的 UV-LA 工艺中，证实了单晶固相再结晶与无结深增加的掺杂激活，从而为低散热预算集成流程中的多种应用开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2111.07577,
title = {Solid Phase Recrystallization and Dopant Activation in Arsenic Ion-Implanted Silicon-On-Insulator by UV Laser Annealing},
author = {Toshiyuki Tabata and Fabien Rozé and Pablo Acosta Alba and Sébastien Halty and Pierre-Edouard Raynal and Imen Karmous and Sébastien Kerdilès and Fulvio Mazzamuto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.07577},
year = {2021}
}
备注
Accepted Paper for 20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)