抑制钛过饱和硅中的胞状破裂
材料科学
2016-08-22 v1
摘要
通过离子注入后进行脉冲激光退火和闪灯退火，实现了硅中高达6 at.%钛的过掺杂固溶。在两种情况下，注入的硅层分别可通过液相外延和固相外延良好地再结晶。钛注入硅经液相外延后的截面透射电子显微镜显示，由于熔体中共晶过冷的发生，出现了所谓的生长界面破裂或胞状破裂。胞状破裂的出现阻止了进一步的再结晶。然而，在闪灯退火过程中，由于非晶-晶体界面速度高以及钛在固相中的扩散速度低，胞状破裂和向外扩散可通过固相外延得到有效抑制。
引用
@article{arxiv.1608.05551,
title = {Suppressing the cellular breakdown in silicon supersaturated with titanium},
author = {Fang Liu and S Prucnal and R Hübner and Ye Yuan and W Skorupa and M Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05551},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 4 figures