InN 薄膜中电子结构的超快动力学
光学
2021-02-16 v1 材料科学
摘要
在非故意掺杂的 InN 薄膜中进行了瞬态透射与反射率的同步测量，以揭示强激光辐照下的超快光学漂白及其恢复行为。该光学漂白归因于探测能级处光激发电子占据所导致的泡利阻塞。从激发态到导带边的跃迁时间常数为 260 fs。由电子-空穴与电子-电子相互作用引起的带填充与带隙重整化之间的相互作用导致了瞬态反射率的复杂光谱特征，从中提取出的光激发电子-空穴直接复合与带边复合的时间常数分别为 60 fs 与 250400 fs。我们的结果还揭示电子-电子相互作用抑制了带边复合，并减缓了恢复过程。我们的实验凸显了通过强激光辐照对半导体能带结构的可控性。
引用
@article{arxiv.2102.07598,
title = {Ultrafast dynamics of electronic structure in InN thin film},
author = {Junjun Jia and Takashi Yagi and Toshiki Makimoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.07598},
year = {2021}
}