基于电子隧穿谱的 FeSi 直接带隙与间接带隙证据
强关联电子
2020-10-22 v1
摘要
我们报道了在均匀隧穿结接触以及由 Pt-Rh 合金制成对电极情形下,对单晶 FeSi 样品进行的电子隧穿谱研究。我们的结果表明:在 Pt-Rh 针尖构型中,隧穿谱优先对 d 分态密度和间接能隙敏感;而 FeSi-FeSi 型隧穿结则给出关于 c 分态密度和 FeSi 中直接带隙的谱学信息。
引用
@article{arxiv.2010.10838,
title = {Evidence for direct and indirect gap in FeSi from electron tunneling spectroscopy},
author = {M. Baťková and I. Baťko and M. Mihalik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.10838},
year = {2020}
}