FeSi 光导率中的关联效应
强关联电子
2009-10-31 v2 材料科学
摘要
我们以两带 Hubbard 模型为基础，采用由能带计算得到的态密度来研究 FeSi 中的电子关联效应。运用自洽二阶扰动理论结合局部近似，对其态密度和光导率谱进行了关联效应的研究，结果在准量子地再现了 Damascelli 等人实验所观察到的现象。我们还发现，关联效应导致隧穿边缘峰位于更低能量区位移，这与实验观察一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907264,
title = {Correlation Effects on Optical Conductivity of FeSi},
author = {Kentaro Urasaki and Tetsuro Saso},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907264},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures