一维临界态在测量后的纠缠

一维临界哈密顿量基态的纠缠熵（EE）具有普适的对数标度，其前置因子由 underlying 1+1维共形场论的中心电荷 $c$ 给出。当系统受测量探测时，由于波函数坍缩，临界基态中的纠缠不可避免地受到影响。本文中，我们研究弱测量对一维临界横场伊辛模型基态中纠缠标度的影响。对于沿横向自旋轴对自旋的测量，我们识别出与空间均匀测量结果相关的有趣测量后态。这些态中的 EE 仍满足对数标度，但具有由有效中心电荷 $c_{\text{eff}}$ 给出的另类前置因子。我们推导了 $c_{\text{eff}}$ 作为测量强度函数的解析表达式。利用数值模拟，我们表明对于基于 Born 规则概率对所有测量后态取平均的 EE，数值提取的有效中心电荷似乎与测量强度无关，这与局域且不重叠的测量会减少系统中纠缠的通常预期相反。我们还考察了在（偏置）强制测量下平均 EE 的行为，其中测量结果以预先确定的概率分布无位间关联地采样。特别地，我们找到了一个最优概率分布，可作为 Born 规则概率的平均场近似并导致相同的 $c_{\text{eff}}$ 行为。还讨论了沿纵向自旋轴的测量效应及测量后关联函数。