单层二硼-空位中心在层状硼氮中的增强发射
量子物理
2026-03-24 v1 材料科学
摘要
二维硼氮（BN）蜂窝晶格的各种堆叠组合可显著修改由此产生的二维 BN 晶体的性质。本文通过第一性原理计算表明，负电荷硼-空位中心（V）在层状 BN（hBN）中的亮度至少提高了一个数量级，自旋性质要么保持可比，要么进一步提升。这一增强源于 rBN 中晶体场对称性的降低。我们的结果表明，V 在 rBN 中可实现室温单自旋相干控制，从而可作为该二维宿主中的单自旋量子传感器。这些发现表明，工程化的 BN 层堆叠为调制嵌入量子缺陷的性质提供了强大的手段。
引用
@article{arxiv.2603.21422,
title = {Enhanced Emission from Boron-Vacancy Center in Rhombohedral Boron Nitride},
author = {Nasrin Estaji and Ismaeil Abdolhosseini Sarsari and Gergő Thiering and Adam Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.21422},
year = {2026}
}