IV-VI 族单层 'four-six-enes' 中的电子、空穴与自旋
材料科学
2016-10-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
间接带隙的 IV 族金属硫属化物单层（'four-six-enes'，如 SnS、GeTe 等）的带边态继承了布里渊区边界附近高对称性倒易空间点的性质。我们采用群论与不变量方法，在包含自旋轨道耦合的有效哈密顿量中捕捉这些本质对称性，并利用微扰理论阐明带边态的性质。特别地，我们展示了推导出的波函数结构如何导致价带空穴与导带电子两者特定的主导动量与自旋散射机制，分析了跨越带隙的直接光学跃迁，并揭示了导致局域色散关系细微特征的交互作用。
引用
@article{arxiv.1608.04288,
title = {Electrons, holes, and spin in the IV-VI monolayer 'four-six-enes'},
author = {Ian Appelbaum and Pengke Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.04288},
year = {2016}
}