电子关联与 Si 的相图
材料科学
2016-08-16 v1 软凝聚态物质
摘要
先前基于电子交换关联能局域密度近似（LDA）对 Si 熔化性质的第一性原理计算，将熔化温度低估了约 20%。我们提出新的第一性原理结果，证明该问题源于半导体固体与金属液体间交换关联误差的非抵消。研究表明，其他误差来源，特别是系统尺寸与 Brillouin 区采样引起的误差，可被降至可忽略。同样的 LDA 误差导致对金刚石结构 Si 向 -锡结构 Si 转变压力的低估。广义梯度近似在很大程度上修正了 Si 相图的这两个特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207531,
title = {Electron correlation and the phase diagram of Si},
author = {D. Alfè and M. J. Gillan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207531},
year = {2016}
}
备注
4 pages