利用近乎消除自相互作用误差的局部校正交换关联势获取宽禁带半导体更优带隙
材料科学
2017-09-11 v2
摘要
本工作通过强制精确交换势渐近行为的van Leeuwen和Baerends (LB)交换校正局域密度近似(LDA)，对氮化硅(Si3N4)多晶型的电子结构和力学性质给出了全面且改进的阐述。所计算的Si3N4多晶型的晶格常数、体模量和电子能带结构与实验结果吻合良好。我们还表明，对于氢原子、球形势阱或谐振子中的单电子，由于交换势表示的显著改善，LB校正LDA将（自相互作用）误差相对于精确总能量降低到约10%，比标准LDA低三到四倍。
引用
@article{arxiv.1704.06245,
title = {Better band gaps for wide-gap semiconductors from a locally corrected exchange-correlation potential that nearly eliminates self-interaction errors},
author = {Prashant Singh and Manoj K. Harbola and Duane D. Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.06245},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 3 figures